接收预调剂，要求如下： 1、是应用物理、材料、电子信息专业背景； 2、过a类国家线。 请将必要信息个人简历，大学成绩单，本科院校，初试成绩，四六级，科研经历等以邮件方式发生到以下邮箱gdylove@126.com【郭老师】或slwang@zstu.edu.cn【王老师】（备注：小木虫的信息不再一 一回复） 1、郭道友副教授 博士，副教授，从2013年开始一直从事超宽禁带氧化物半导体Ga2O3材料的生长、物性及器件应用方面的研究，特别是在日盲深紫外探测器方面的应用。主持国家自然科学基金1项、浙江省基础公益研究项目1项、浙江省教育厅一般项目1项、重点实验室开放课题4项，横向课题1项。撰写Ga2O3相关的综述论文2篇（均4万余字），以第一作者通讯作者发表Ga2O3相关SCI论文40余篇【包括1篇ACS Nano，1篇Phys. Rev. Applied，4篇Appl. Phys. Lett.，2篇Mater. Today Phys.，2篇ACS Appl. Mater. Interfaces，3篇J. Mater. Chem. C，2篇Sci. Rep.，其中5篇为ESI高被引论文，1篇为ESI热点论文】。论文被国际晶体生长组织IOCG前主席、第二届Ga2O3国际研讨会主席Roberto Fornari教授等国际著名学者多次正面引用及评价。被Adv. Energy Mater., Adv. Mater., Adv. Funct. Mater., Appl. Phys. Rev.，J. Mater. Chem. A, ACS Photonics，Appl. Phys. Lett.等国际知名杂志引用近3000次，其中4篇文章的引用超过百次，单篇最高已被引300余次，申请Ga2O3相关专利20余项，其中已授权4项。是Nature Electronics、Adv.Funct.Mater., Adv.OpticalMater., Phys. Rev. Applied, Mater. Today Phys., ACS Appl. Mater. Interfaces, ACS Photonics, Carbon, J. Mater. Chem. C等10多个国际著名刊物的审稿人。 研究领域 1. 超宽禁带半导体Ga2O3薄膜的外延生长与物性调控 2. Ga2O3基异质结的构筑与光电性能研究 3. Ga2O3纳米柱阵列的生长与相结构筑 4. Ga2O3基日盲紫外探测器的制备与应用研究 联系方式（邮箱）：gdylove@126.com 2、王顺利高级工程师 博士，副教授，硕士生导师，浙江省光场调控技术重点实验室副主任，浙江理工大学物理实验中心副主任。浙江省物理学会X射线衍射专业委员会秘书长。近年来，主要从事半导体薄膜及器件的产业化应用研究。目前，主持国家自然科学基金1项，浙江省自然科学基金1项，浙江省公益性科技计划项目2项，第一作者申请国家发明专利35项，获得授权20项，在国际学术杂志上发表SCI论文60余篇，获得浙江省教学成果奖二等奖1项，中国商业联合会科学技术奖一等奖1项，中国产学研创新成果奖二等奖一项。 研究领域 1.光电材料与器件 2.半导体薄膜及器件的产业化应用研究。 联系方式（邮箱）：slwang@zstu.edu.cn